850nm High Power Infrared Emitting Diode

850 nm afl innrauða díóða skilar auknu innrauða geislaúttaki fyrir forrit sem krefjast sterkara innrauðs merki. EE852M2 styður 100 mA hámarksframdrifstraum fyrir utan staðlaða 20 mA aðgerð, framleiðir hærri innrauða geislunarstyrk en heldur breiðu ±60 gráðu geislahorni. Þessi mikla innrauða díóða er smíðuð fyrir aðstæður þar sem þarf að bæta sendingarfjarlægð eða merkjastyrk samanborið við staðlaða innrauða sendendur.

Innrauðar díóðar með miklum krafti gera strangar kröfur um flísaskimun og hitatengda hjúpunargæði. Fagleg rannsókna- og þróunargeta okkar innanhúss hjálpar til við að koma á stöðugleika í sjón-rafmagni fyrir afbrigði af miklum krafti þegar staðlaða íhlutir geta ekki uppfyllt kröfur verkefnisins.

Við styðjum sérsniðna þróun fyrir háafl innrauða díóða. Þú getur útvegað teikningar eða frumgerðir fyrir okkur til að meta hagkvæmni. OEM og ODM þjónusta er í boði. Sýnisstuðningur er í boði fyrir fjöldaframleiðslu.

Hver eining er pakkað í antistatic poka, sett í höggþolinn froðubox. Allir kassar fara í styrktar bylgjupappa öskjur með dempandi efni, vafinn í vatnshelda teygjufilmu með "Antistatic", "Brothætt" viðvörunarmerkjum. Viðskiptaskilmálar EXW, FOB, DDP eru fáanlegir.

maq per Qat: 850nm hár afl innrauða díóða, Kína 850nm hár afl innrauða díóða framleiðendur, birgja, verksmiðju